三星 250G SSD 850 EVO MZ-75E250
三星 2500G SSD 850 EVO MZ-75E250 官方链接：
什么是3D V-NAND，它与现有技术有什么不同？
三星创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。
TurboWrite技术带来******的读写速度，优化日常计算性能
借助三星的 TurboWrite 技术，实现******读写性能，优化您的日常计算体验。相比 840 EVO，850 EVO带来大约 13%* 的用户体验提升，这一定程度上归功于随机写入**速度提高了 2 倍。850 EVO 可提供******的连续读取 (540 MB/s) 和写入 (520 MB/s) 性能。此外，在客户端 PC 使用情况下，您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。
*PCmark7(250GB): 6700(840 EVO) < 7600(850 EVO)
**随机写入 (QD32,120GB) : 36,000 IOPS(840 EVO) < 88,000 IOPS(850 EVO)
利用 RAPID模式提高存储性能
三星850 EVO mSATA是一台性能加速机。通过三星Magician 软件，您可以激活RAPID模式，将未使用的 PC 内存 (DRAM) 用作高速缓存，******可达总DRAM容量的25%。随着存储容量的显著增长，在RAPID模式下数据处理速度和随机QD可提升 2 倍*。
*PCMARK7 RAW(250GB): 7500 < 15000(RAPID 模式)
3D V-NAND 技术
为耐久性和******性带来保障支持
与上一代的 840 EVO 相比，850 EVO 的总写入字节( TBW) * 翻倍，且可以提供业内******的 5 年质保，因此可以提供耐用性和******性保障。对比 840 EVO，850 EVO 在持续性能**上获得了30% 的提升，是值得依赖的存储设备之一。
*TBW: 43(840 EVO) < 75(850 EVO 120/250GB), 150(850 EVO 500/1TB)
**持续性能(250GB) : 3300 IOPS(840 EVOO) < 6500 IOPS(850 EVO), 12小时 "随机写入" 测试得出的性能数据
特征
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接口
SATA 6 Gb/s (与SATA 3 Gb/s 和 SATA 1.5 Gb/s 兼容)
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尺寸 (WxHxD)
100 x 69.85 x 6.8mm
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抗震性
非运行:1500G , 持续 0.5 毫秒, 3 轴
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特殊功能
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安全
AES 256 位全盘加密 (FDE)
TCG/Opal V2.0, 加密驱动器(IEEE1667)
显示更多功能特征
性能
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4KB 随机读取(QD32):
****** 97,000 IOPS
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4KB 随机写入(QD32):
****** 88,000 IOPS
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4KB 随机读取 (QD1):
****** 10,000 IOPS
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4KB 随机写入(QD1):
****** 40,000 IOPS
环境
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******性
MTBF: 1,500,000 小时
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运行温度
运行:0°C 至 70°C
非运行:-40°C 至 85°C
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电源功耗
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电源功耗
闲置: ****** 50 mW
设备休眠: 2 mW
