三星 256G SSD 850 PRO MZ-7KE256
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什么是 V-NAND，它与现有技术有什么不同？
Samsung 3D V-NAND 闪存使用极富创新的垂直体系结构，由 32 个单元层相互堆叠而成，取代了试图通过缩小每个单元的长度和宽度来适应当前日趋小型化外形的旧有做法。利用这一技术，硬盘占用面积更小，密度更紧凑且性能更高，并突破了传统的平面 NAND 架构的密度限制。
使用 3D V-NAND SSD 大幅提高性能
NAND 闪存采用 Samsung ******的 3D V-NAND 技术，无论是顺序读写还是随机读写，都能尽享出色性能。128 GB 机型在这方面的性能尤为突出*，其写入速度比市场上同类机型快 80 MB/秒以上。
* 850 PRO 128 GB Sequential Write speed: 470 MB/s
*850 PRO 128 GB Sequential Write speed: 470 MB/s
增强的 RAPID mode，迅速切换到高速档位
无论是哪个容量的机型，都可以利用 RAPID mode 迅速提升读取/写入性能。正如在开车时换档一样，Magician 软件为您提供了通过在系统级处理数据来提高性能的选项，该选项使用空闲 PC 内存 (DRAM) 作为高速缓存，在 RAPID 模式下可将速度提高 1.8 倍*。
* PCMark Vantage score (512 GB): 53K > 97K(in RAPID mode)
坚固耐用的 SSD，时刻为您提供支持
850 PRO 的耐久性和******性是普通 NAND 闪存 SSD 的两倍*，将一直陪伴您工作和生活的每分每秒。Samsung 的 V-NAND 技术设计能够处理每天 40 GB 的工作负荷，等同于写入 150 TB (TBW)，确保 SSD 具有较长的使用寿命。此外，我们还提供10 年有限保修。
* 840 PRO: 73 TBW > 850 PRO: 150 TBW
创新的高效能源管理技术，延长工作时间
借助 850 PRO 中的高效能源管理组件，您可以延长工作时间并提高工作效率。850 PRO 满负荷工作时消耗的能量是所有 SSD 中******的，在降低能耗的同时保持了性能。850 PRO ******支持 Ultrabook™ 的休眠模式，休眠能耗仅为 2 毫瓦。此外，LPDDR2 高速缓存提供更高的性能，与普通 DDR2 或 DDR3 内存相比，在工作时的能耗不到后者的 30%，闲置时的能耗不到后者的 93%。
在不牺牲性能的情况下保护宝贵的数据
当您携带笔记本电脑外出时，850 PRO 的 SED 技术可保护您的 PC 硬件和个人数据。驱动器提供 AES 256 位基于硬件的全盘加密引擎，该加密引擎在保护数据安全时不会导致性能下降，而基于软件的加密通常会导致性能下降。
850 PRO 的******安全设置遵循 TCG™ Opal 2.0 版标准，保护 PSID 并与 Microsoft® eDrive IEEE® 1667 协议兼容。此外，您可以使用加密擦除服务来擦除或初始化数据。
使用动态散热保护技术，防止 PC 过热
850 PRO 提供 动态散热（Dynamic Thermal Guard） 保护技术，可防止因为过热而降低 PC 性能。动态散热保护技术通过降温功能监控和维护驱动器的工作温度，该功能在必要时会自动降低 SSD 的温度，从而起到保护数据的作用，并能确保计算机达到理想的响应速度。
轻松升级到 850 PRO
使用 一站式安装导航（One-stop Install Navigator） 软件，您可以快捷地将 SSD 或 HDD 中的所有数据迁移到 850 PRO。自动安装（Auto Install） 指南会引导您完成安装流程。此外，您可以使用 Samsung Magician 软件轻松监控、管理和维护 850 PRO，该软件提供的工具可帮助您更大程度提高硬盘性能，此类工具包括基准性能测试、******操作系统优化、磁盘运行状态跟踪和预留空间 (OP) 设置。
确保每个组件无缝协同工作
Samsung 是少数自己设计所有 SSD 组件的厂商之一，在 SSD 市场上拥有丰富的经验。Samsung 熟悉每个组件及其部件，能够在开发的每个阶段微调这些组件，确保它们高效配合。精工细作，结果自然令人满意：850 PRO 性能更加******，采用高达 1 GB 的 LPDDR2 DRAM 高速缓存降低能耗，采用 3 核 MEX 控制器提高能效。
特征
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接口
SATA 6Gb/s (兼容 SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s)
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尺寸 (WxHxD)
100 x 69.85 x 6.8mm
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高速缓存
512MB(256GB&512GB) LPDDR2
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NAND 闪存
三星 32 层 3D V-NAND
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抗震性
非运行:1500G , 持续0.5毫秒, 3 轴
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特殊功能
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安全
AES 256位全盘加密 (FDE)
TCG/Opal V2.0, 加密硬盘 (IEEE1667)
显示更多功能特征
性能
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4KB 随机读取(QD32):
****** 100,000 IOPS
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4KB 随机写入(QD32):
****** 90,000 IOPS
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4KB 随机读取 (QD1):
****** 10,000 IOPS
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4KB 随机写入(QD1):
****** 36,000 IOPS
环境
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******性
平均故障间隔时间：2,000,000小时
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运行温度
运行:0°C 至 70°C
非运行:-40°C 至 85°C
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电源功耗
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电源功耗
动态读取 (平均): ****** 3.3W(1TB)
动态写入(平均): ****** 3.0W(1TB)
待机功耗: ****** 0.4W
设备睡眠: 2mW
