三星 960G SSD 845DC EVO MZ-7GE960
三星 960G SSD 845DC EVO MZ-7GE960 官方链接：
专为数据中心设计的高性能 SSD
数据中心必须高效地运行，在******低延迟的同时提供稳定和******的性能，以满足需求。 由于读取和写入的工作负载类型多样以及对全天候持续运行的需求，数据中心必须维持高度稳定。 因无法预知的电力故障而造成的数据损坏或删除也是一大隐忧。
作为存储技术领域的******者之一，三星拥有为数据中心提供******固态硬盘 (SSD) 的专业知识。即使出现断电的意外情况，我们的固态硬盘也可以提供******的性能和高度的******性。三星SSD 845 DC EVO 专为数据中心而设计，采用精心挑选的 NAND 芯片、经过优化的控制器和******的断电保护架构，确保您的数据中心可以实现全年全天候的高性能运转。
******低延迟的同时提供稳定的性能
为满足服务质量 (QoS) 方面的要求，数据中心 SSD 必须提供稳定的性能。 QoS 是根据低于指定值的响应时间所占的百分比衡量的，以设备提供稳定性能的持续性为特征。 这一点在云数据中心环境中尤其重要。 低延迟率同样也非常重要。延迟是指从存储器收到读取请求到释放该请求所对应的数据的时长。
对于非混合的******随机读取或写入，845DC EVO 的延迟率较低，这可以***终转化为更优的 QoS。 对于顺序读取和写入以及混合工作负载，845DC EVO 也交出了令人赞叹的 QoS 成绩。
利用******的组件，维持高水平的稳定性能
为满足数据中心环境的苛刻要求，SSD必须可以较长时间保持持续性能。针对这些独特挑战，三星专门研发并不断优化845DC EVO，使其适用于任何数据中心使用场景，关键时刻发挥其******性能。
845DC EVO采用3bit MLC NAND 闪存芯片以及三星全新升级的控制器，不同的RAID配置均拥有******稳定的随机读/写和连续读/写性能，优于行业标准SSD10%到25%。从高品质晶片中精挑细选的NAND闪存芯片坚固耐用，在组件和系统水平上经过了严格测试后才批准采用。与行业标准SSD相比，845DC EVO 运行速度快2到3倍。
确保混合工作负载下的高性能
根据不同的服务类型，数据中心中产生的 I/O 工作负载可包括各种读取/写入混合比率、请求大小和原生指令排序 (NCQ) 队列深度 (QD) 的组合。 845DC EVO 经过特别设计，突破了只能提高基本读取/写入性能的自身限制，可以满足数据中心应用程序的各种需求。 此外，它还为同时访问服务器的各种混合工作负载提供了出色的性能。 对于各种读取/写入比率，845DC EVO 均表现出了******的整体性能，使数据中心的总体性能获得大幅改善。
******的 ECC 引擎和端对端数据保护
检测信号差异，主动实时解决问题。 此特点可通过对贯穿 SSD 中从主机接口到 NAND 闪存的整个路径的错误检测，显著提高 SSD 的******性。 特殊算法可以监控和调整每个单元以实现更高的耐用性，而通过监控 NAND 的耐用性水平，可以先前一步地管理磨损均衡和块的更换。
断电保护
利用三星******的断电保护架构，在突然断电时保护数据的完整性。 利用钽电容中的电流，可为将 DRAM 中缓冲的数据传输到闪存提供足够的时间，从而有助于避免数据丢失。
S.M.A.R.T.
利用 Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology（S.M.A.R.T.，即自动监控、分析和报告技术），主动监控计算机驱动器，以检测和报告各种******性指标。 当预料到会出现故障时，S.M.A.R.T. 会向用户发出即将出现驱动器故障的警告，让用户可以提前更换问题驱动器，避免出现数据丢失或突发故障。
Dynamic Thermal Guard 保护
通过控制 CPU 速度来降低内核温度，以防止 SSD 过热，避免造成过热关机。
确保与一个端对端解决方案的无缝集成
对于任何 SSD，三个重要的组件都是 NAND 闪存、控制器和固件。 NAND 闪存负责存储有价值的数据这一关键任务。 而控制器和固件则会共同完成复杂且重要的工作，即管理数据存储并维持 SSD 的性能和使用寿命。 实现与每个组件的无缝集成对于打造质量******的 SSD 非常重要。
三星是少数真正自行设计所有上述三大重要组件的厂商之一。 与自行设计组件的厂商相比，三星 在 SSD 市场上有着丰富的经验。 三星熟悉每个 SSD 组件及其部件，拥有在开发的每个阶段微调每个元件的优良设备，可以确保它们紧密配合。 因此，我们的 SSD 是您存储宝贵数据的******之选。
特征
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接口
串行 ATA 6Gb/s(兼容 SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s)
******遵守 ATA/ATAPI-7 标准(部分遵守 TA/ATAPI-8)
支持 NCQ:多达 32 个深度
异步信号恢复
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尺寸 (WxHxD)
(100.00±0.25) x (69.85±0.25) x (6.80±0.20) mm
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NAND 闪存
三星 19nm Toggle 3bit MLC NAND
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抗震性
非运行:500G , 持续时间 0.5m s, 3 轴
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性能
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4KB 随机读取(QD32):
******87,000 IOPS
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4KB 随机写入(QD32):
******14,000 IOPS
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服务质量
99.99%:读取:0.6ms 写入:7ms
******:读取:3ms 写入:8ms
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延迟
连续:读取:55us 写入:45us
随机:读取:115us 写入:55us
显示更多功能特征
环境
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******性
平均故障间隔时间（MTBF)： 2,000,000小时
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运行温度
运行:0°C至60°C
非运行:-45°C 至 85°C
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功耗
主动读取/写入 : 2.7 W/3.8W
闲置 : 1.2 W
